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IMH21T110中文资料

  • 大小:412KB
  • 厂家:
  • 描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 频率 - 转换:150MHz
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:SMT6
  • 包装:带卷 (TR)

IMH21T110供应商

更新时间:2023-01-10 20:43:28
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